ЗАВИСИМОСТЬ СТРУКТУРЫ ЗОН ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ СКОРОСТИ РЕКОМБИНАЦИИ МЕЖДУ ЗОНАМИ

М. Н. Аликулов

doi:10.31435/rsglobal_ws/31052020/7073

М. Н. Аликулов кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физики, Каршинский инженерно- экономический институт, г. Карши, Узбекистан

DOI: https://doi.org/10.31435/rsglobal_ws/31052020/7073

Keywords: silicon, solar cell, recombination, semiconductor, photosensitivity, solar battery

Abstract

This article researches the dependence of recombination processes that occur in semiconductors on the structure of semiconductor zones. The advantages of using faulty zonal semiconductors in the development of solar cells have been substantiated.

References

Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики: Пер. с англ./ Под ред. Т. Коутса, Дж. Микина. – М.: Мир, 1988.

Ольховский Г.Г. Глобальные проблемы энергетики// Электрические станции. – М.: 2005. No1. с.4 – 10.

Гуламова М.А., Потаенко К.Д., Турсунов М.Н., и др. Солнечные элементы из отходов монокремния серийного производства. //Гелиотехника, 1990, No4.

Афанасьев В.П., Теруков Е.И., Шерченков А.А. Тонкопленочные солнечные элементы на основе кремния. 2-е изд. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ«ЛЭТИ», 2011.

Кашкаров А.П. Ветрогенераторы, солнечные батареи и другие полезные конструкции-М.: ДМК Пресс, 2011.

Алиқулов М.Н., Саъдуллаев А. Рекомбинация ҳодисасини ярим ўтказгичли материалларнинг фотосезгирлигига таъсири. //Олий ва ўрта махсус, касб ҳунар таълимида аниқ ва табиий фанларнинг ўзаро алоқадорлик ва узвийлиги масалалари мавзусидаги Республика илмий-назарий анжумани материаллари. – Қарши, 2014 йил, – Б.444-445.

Алиқулов М.Н., Саъдуллаев А. Ярим ўтказгичларда фотоэлектрик ҳодисалар. //Қишлоқ хўжалиги ва транспортда ресурстежамкор техника, технологияларни яратиш, самарали фойдаланиш ва сервиси муаммолари мавзусидаги Республика илмий-амалий анжумани. -Қарши, 2015 йил, -Б.214-216.

Алиқулов М.Н. Ярим ўтказгичли фотоэлементларнинг фотосезгирлигини махаллий марказлар орқали бўладиган рекомбинацияга боғлиқлиги. //Иқтисодиётни модернизация қилиш ва технологик янгилаш шароитида фан-таълим-ишлаб чиқариш интеграциясини ривожлантириш муаммолари ва ечимлари мавзусидаги Республика илмий-амалий анжумани материаллари. -Қарши, 2015 йил, -Б.27-29.

Алиқулов M.Н. Фотоэлементлар фотосезгирлигига киринди марказлари ва рекомбинация жараёнларининг таъсири //“Инновацион технологиялар” журнали. –Қарши, 2016 йил, No3, -Б. 21-26.

Алиқулов М.Н. Фотоэлементларда юз берадиган фотоэлектрик ҳодисалар. //Кончилик ва нефть-газ тармоқларининг муаммолари ва инновацион ривожлантириш йўллари мавзусидаги Республика илмий-амалий анжуман материаллари. –Қарши, 2016 йил, -Б.340-341.

Алиқулов М.Н. Фотоэлементларда юз берадиган рекомбинация жараёнлари. //Ишлаб чиқариш корхоналарининг энергия тежамкорлик ва энергия самарадорлик муаммоларини ечишда инновацион технологияларнинг аҳамияти мавзусидаги Республика илмий-амалий анжумани. – Қарши, 2016 йил, -Б. 201-203.

АликуловM.H. Влияние примесных центров и процессов рекомбинации на фоточувст-вительность фотоэлементов//Сибирский физический журнал. 2018 г. Том 13. No2. -С. 80-86.